SI2318CDS - Diodo Co., Ltd

SI2318CDS

Descripción SI2318CDS-T1-GE3: Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3 pines SOT-23 T/R - Paquete de cinta y carrete: SOT-23 Fabr.

DESCRIPCIÓN

Descripción

SI2318CDS-T1-GE3: Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3 pines SOT-23 T/R - Cinta y carrete

Paquete: SOT-23

Fabricante. Pieza n.°: SI2318CDS-T1-GE3

Fabricante: VISHAY

Hoja de datos: (envíenos un correo electrónico o chatee para obtener el archivo PDF)

Estado ROHS:

Calidad: 100% originales

Garantía: 180 días

Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)	40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C	5,6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)	4,5 V, 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs	42 mOhmios a 4,3 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2,5 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC a 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF a 20 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	1,25 W (Ta), 2,1 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Estuche	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Línea de productos de la empresa

SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS trans mosfet transistor

Certificados

Detalles del embalaje del producto

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