Transistor del paquete Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn del canal N para carga rápida
Transistor de paquete DFN MOSFET G30N03D3 30V 30A de canal N para carga rápida Descripción general El G30N03D3 utiliza
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Información básica.
N º de Modelo. | G30N03D3 |
spq | 4000PCS/carrete |
Paquete de transporte | Caja de cartón |
Especificación | paquete DFN |
Marca comercial | COMODIDAD |
Origen | Porcelana |
Código hs | 8541290000 |
Descripción del Producto
Transistor del paquete MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN del canal N para carga rápidaDescripción general El G30N03D3 utiliza tecnología de zanja avanzada para proporcionar un RDS(ON) excelente y una carga de puerta baja. Se puede utilizar en una amplia variedad de aplicaciones.
Características generales
Características generalesVDS 30 V ID (a VGS = 10 V) 30 A RDS (encendido) (a VGS = 4,5 V) <12 mΩ 100 % probado contra avalanchas Cumple con RoHS
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Principales clientes
Desde su fundación en 1995, Goford Semiconductor se ha convertido en una empresa global con oficinas en EE. UU., Hong Kong, Australia, Shenzhen y Jiangsu. Siempre nos hemos dedicado a la I+D y la venta de productos Mosfets de energía. Nos centramos en la eficiencia energética, la movilidad y la confiabilidad para ofrecer productos rentables al mercado.
Las aplicaciones de nuestros productos son: cigarrillos electrónicos, línea de datos de Apple, atenuación de LED, fuente de alimentación móvil, enchufe USB, etc. Brindamos un sólido soporte técnico para nuestros productos. Con un gran volumen de ventas, podemos garantizar una buena competitividad tanto en calidad como en precio.
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