FDMS86200 FDMS86200DC N - Diodo Co., Ltd

FDMS86200 FDMS86200DC N

Descripción FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POWER56 Paquete: PQFN-8 Fabr. N.º de pieza: FDMS86200 Fabricante: ONHoja de da

DESCRIPCIÓN

Descripción

FDMS86200: MOSFET N-CH 150V POTENCIA56

Paquete: PQFN-8

Fabricante. Pieza n.°: FDMS86200

Fabricante: ONDatasheet: (envíenos un correo electrónico o chatee para obtener el archivo PDF)

Estado ROHS:

Calidad: 100% originales

Garantía: 180 días

Conmutación de diodos 75 V 0,3 A 2 pines SOD-323 T/R

Estado de la pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)	150V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C	9,6A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)	6V, 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs	18 mOhmios a 9,6 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250μA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC a 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2715pF@75V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	2,5 W (Ta), 104 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche	8-PoderTDFN

Línea de productos de la empresa

FDMS86200 FDMS86200DC N-channel MOSFET Transistor

Certificados

Detalles del embalaje del producto
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