![1n4007 M7 Diodo SMD 1A 1000V Diodo rectificador In4007 M7](/uploads/s/d06a018e04c04bbb805224e2efe1c34b.webp)
1n4007 M7 Diodo SMD 1A 1000V Diodo rectificador In4007 M7
Tamaño del paquete 40,00 cm * 25,00 cm * 25,00 cm Peso bruto del paquete 14,000 kg Descripción del producto Clasificacio
Envíe su consultaDESCRIPCIÓN
Información básica.
N º de Modelo. | 1N4007 |
Intensidad luminosa | Estándar |
Color | Rojo |
Estructura | Difusión |
Material | Silicio |
Paquete de transporte | por mar, embalaje |
Especificación | DO-41 |
Marca comercial | Marca ZG |
Origen | Provincia de Auhui, China |
Código hs | 8541100000 |
Capacidad de producción | 500000000000 |
Empaquetado y entrega
Tamaño del paquete 40.00cm * 25.00cm * 25.00cm Peso bruto del paquete 14.000kgDescripción del Producto
Descripción del ProductoClasificaciones máximas y características eléctricas
Clasificación a una temperatura ambiente de 25 ºC a menos que se especifique lo contrario.
Carga monofásica, media onda, 60 Hz, resistiva o inductiva. Para carga capacitiva, reduzca la corriente en un 20%
Símbolos | 1N 4001 | 1N 4002 | 1N 4003 | 1N 4004 | 1N 4005 | 1N 4006 | 1N 4007 | Unidades | |
Máximo voltaje inverso pico repetitivo | VMM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Tensión RMS máxima | VRM | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | Voltios |
Tensión máxima de bloqueo de CC | VCC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | Voltios |
Corriente rectificada directa promedio máxima @TA=75 ºC | ENCENDIDO APAGADO) | 1.0 | amperios | ||||||
Sobretensión directa máxima de 8,3 ms de media onda sinusoidal única superimpuesta a la carga nominal (método JEDEC) | IFSM | 30.0 | amperios | ||||||
Tensión directa máxima a 1,0 A. | VF | 1.1 | Voltios | ||||||
Corriente inversa CC máxima TJ=25ºC a tensión nominal de bloqueo CC TJ=100ºC | IR | 5.0 50.0 | µA | ||||||
Capacitancia de unión típica (Nota 1) | Cj | 15.0 | pF | ||||||
Resistencia térmica típica (Nota 2) | RθJA | 26.0 | °C/W | ||||||
Rango de temperatura de funcionamiento | T.J. | -55 a +125 | ºC | ||||||
Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 a +125 | ºC |
Notas:
1. Medido a 1,0 MHz y voltaje inverso aplicado de 4,0 V CC. 2. Unión de resistencia térmica del ambiente.Imágenes detalladas
DO-41
Características
1. Bajo costo 2. Unión difusa 3. Baja caída de voltaje directo 4. Baja corriente de fuga inversa 5. Capacidad de alta corriente 6. El material plástico lleva reconocimiento UL 94V-0Datos mecánicos
1. Caja: plástico moldeado JEDEC DO-41. 2. Polaridad: la banda de color indica el cátodo. 3. Peso: 0,012 onzas, 0,34 gramos. 4. Posición de montaje: cualquiera.Productos relacionados
Detalles del paquete
Nuestra compañía
Anhui Zhongxin Semiconductor Co., Ltd. se estableció en 2010 y cubre un área de 20000 metros cuadrados, ubicada en la provincia de Anhui, cerca de Shanghai. Nuestra empresa se centra en el desarrollo y producción de diodos, diodos rectificadores, mosfet, diodos Schottky, diodos de recuperación rápida, puentes rectificadores, obleas de silicio, etc. Nuestra misión es ser el proveedor de semiconductores más valioso a su lado. Bienvenido a contactarnos para futuras relaciones comerciales y éxito mutuo.
Nuestro certificado
Nuestro servicio
Proporcionar a los clientes la mejor serie de diodos en relación precio-rendimiento es la misión sagrada de todos los empleados. Convertir la empresa en un proveedor de clase mundial de componentes semiconductores discretos. Orientado a las personas, el cliente primero.