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May 22, 2023

Mosfet de SiC SMD de 1,2 kV y 8,7 mΩ para automoción

Infineon ha utilizado su última tecnología de matrices de carburo de silicio en un mosfet de 1200 V para cargadores integrados de automóviles y convertidores CC-CC. El elegante AIMBG120R010M1 viene en un tamaño de 10 x 15 x 4,4 mm.

Infineon ha utilizado su última tecnología de matrices de carburo de silicio en un mosfet de 1200 V para cargadores integrados de automóviles y convertidores CC-CC.

El elegante AIMBG120R010M1 viene en un encapsulado D2PAK-7L de 10 x 15 x 4,4 mm (7 conductores TO263) y maneja 1,2 kV entre -55 y 175 °C. La fuga es de 5,89 mm, lo que adapta el dispositivo a sistemas de 800 V.

Su proceso 'Gen1p' se creó para mejorar la figura de mérito del área RDSon x y en este paquete puede lograr un Rds(on) de 8,7 mΩ (puerta de 20 V, unión de 25 °C). También a 25°C, el canal puede manejar 205A.

Se afirma que las pérdidas de conmutación son un 25% menores que las de las piezas de primera generación de la compañía: la energía de conmutación total es de 1,56 mJ a 25 °C y se eleva a 2,09 mJ a 175 °C (consulte la hoja de datos para conocer las advertencias).

Contra encendidos espurios, el umbral de la puerta es de al menos 4 V y la relación Crss/Ciss (capacitancia de transferencia inversa/capacitancia de entrada) es baja (16 pF/5,7 nF = 0,0028). Se afirma un apagado confiable en Vgate = 0V “sin riesgo de encendidos parásitos. Esto permite una conducción unipolar”, dijo infineon, que respalda esto especificando características 'apagadas' en la hoja de datos en Vgs=0V.

Para facilitar la conducción, hay una conexión de fuente Kelvin separada (llamada "sentido") junto a la plataforma de la puerta.

El troquel se monta mediante soldadura por difusión (tecnología de marca '.XT') que reduce la temperatura de la unión en comparación con la primera generación, añadió. La resistencia térmica desde el mosfet o la unión del diodo del cuerpo a la carcasa suele ser de 0,13 K/W (0,17 K/W máx.).

En cuanto al diodo del cuerpo, está clasificado para conmutación si el dispositivo se utiliza como rectificador síncrono y puede manejar un pico de 208 A y, a 25 °C, hasta 176 A de forma continua.

Para condiciones de abuso, el dispositivo está clasificado tanto para avalanchas como para cortocircuitos.

Encuentre la página del producto AIMBG120R010M1 aquí y su hoja de datos aquí